IRF7832PBF 与 SI4166DY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7832PBF | SI4166DY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7832PBF | A3-SI4166DY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 51 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | Single N-Channel 30 V 3.9 mOhm 6.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~155°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 20A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.32V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4310pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 51nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.32V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4310pF @ 15V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 4mΩ@20A,10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 51nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7832PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
|
|
SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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