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IRF7821TRPBF  与  AO4566  区别

型号 IRF7821TRPBF AO4566
唯样编号 A-IRF7821TRPBF A36-AO4566
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 9.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 31
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 17mΩ
Qgd(nC) - 1.7
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 4
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~155°C(TJ) -
连续漏极电流Id 13.6A 12A
Ciss(pF) - 542
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 15V -
导通电阻Rds(On) 9.1mΩ@13A,10V 11mΩ@10V
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 9.7
Td(off)(ns) - 18
功率耗散Pd 2.5W(Ta) 2.5W
漏源极电压Vds 30V 30V
Qrr(nC) - 11.5
VGS(th) - 2.3
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 233
Qg*(nC) - 4.3
库存与单价
库存 0 2,890
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6576
200+ :  ¥0.4927
1,500+ :  ¥0.4472
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7821TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 9.1mΩ@13A,10V N-Channel 30V 13.6A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4566 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 12A 2.5W 11mΩ@10V

¥0.6576 

阶梯数 价格
80: ¥0.6576
200: ¥0.4927
1,500: ¥0.4472
2,890 对比
DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 9mΩ@16A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A

¥2.388 

阶梯数 价格
30: ¥2.388
100: ¥1.848
1,250: ¥1.596
2,468 对比
AOSP32314 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 14.5A 3.1W 9mΩ@10V

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
1,500: ¥1.2405
3,000: ¥0.98
960 对比
AO4566 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 12A 2.5W 11mΩ@10V

暂无价格 0 对比
FDS6680A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 9.5m Ohms@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 12.5A 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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