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IRF7821TRPBF  与  FDS6680A  区别

型号 IRF7821TRPBF FDS6680A
唯样编号 A-IRF7821TRPBF A-FDS6680A
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 9.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 N-Channel 30 V 9.5 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet -SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.1mΩ@13A,10V 9.5m Ohms@12.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~155°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13.6A 12.5A
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 15V 1620pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V 23nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 9,840
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7821TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 9.1mΩ@13A,10V N-Channel 30V 13.6A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
FDS6680A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 9.5m Ohms@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 12.5A 8-SOIC

暂无价格 9,840 对比
IRF7458TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8mΩ@14A,16V N-Channel 30V 14A 8-SO

暂无价格 9,840 对比
AO4492 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 14A 3.1W 9.5mΩ@10V

暂无价格 9,840 对比
AOSP32314 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 14.5A 3.1W 9mΩ@10V

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
1,500: ¥1.2405
3,000: ¥0.98
1,010 对比
AO4566 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 12A 2.5W 11mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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