IRF7811AVPBF 与 SI4172DY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7811AVPBF | SI4172DY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7811AVPBF | A3t-SI4172DY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 | Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14mΩ | 12 mOhms @ 11A,10V |
| 引脚数目 | 8 | - |
| 最小栅阈值电压 | 1V | - |
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA |
| 封装/外壳 | - | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 11.8A | 15A(Tc) |
| 长度 | 5mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1801pF @ 10V | - |
| 高度 | 1.50mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 43 ns | - |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W | 2.5W(Ta),4.5W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | HEXFET | - |
| 典型接通延迟时间 | 8.6 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7811AVPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 11.8A 14mΩ 3W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI4172DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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