首页 > 商品目录 > > > > IRF7809AVTRPBF代替型号比较

IRF7809AVTRPBF  与  DMN3010LSS-13  区别

型号 IRF7809AVTRPBF DMN3010LSS-13
唯样编号 A-IRF7809AVTRPBF A-DMN3010LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 41 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@15A,4.5V 9mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13.3A 16A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3780pF @ 16V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3780pF @ 16V 2096pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 5V 43.7nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7809AVTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@15A,4.5V N-Channel 30V 13.3A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7821TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 9.1mΩ@13A,10V N-Channel 30V 13.6A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMG4406LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.5W(Ta) 11mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 10.3A

暂无价格 0 对比
DMG4406LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.5W(Ta) 11mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 10.3A

暂无价格 0 对比
DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 9mΩ@16A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A

暂无价格 0 对比
AO4706 AOS 功率MOSFET

16.5A(Ta) N-Channel ±12V 6.8 mΩ @ 16.5A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售