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IRF7807ZTRPBF  与  SI4172DY-T1-GE3  区别

型号 IRF7807ZTRPBF SI4172DY-T1-GE3
唯样编号 A-IRF7807ZTRPBF A3t-SI4172DY-T1-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 18.2 mOhm 11 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.8mΩ@11A,10V 12 mOhms @ 11A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta),4.5W(Tc)
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 11A 15A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7807ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.8mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel

暂无价格 10,000 对比
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel

¥2.618 

阶梯数 价格
20: ¥2.618
100: ¥2.013
1,250: ¥1.749
2,390 对比
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel

暂无价格 0 对比
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel

暂无价格 0 对比
SI4172DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比

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