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IRF7739L1TRPBF  与  IRF7739L2TRPBF  区别

型号 IRF7739L1TRPBF IRF7739L2TRPBF
唯样编号 A-IRF7739L1TRPBF A-IRF7739L2TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF7739L1 Series 40 V 1 mOhm Surface Mount N-Channel DirectFet Power Mosfet IRF7739L2TRPBF Series 40 V 46 A 1 mOhm Direcfect Power Mosfet - DIRECTFET L8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1mΩ@160A,10V 1mΩ@160A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),125W(Tc) 3.8W(Ta),125W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DIRECTFET L8 DIRECTFET L8
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 46A 46A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11880pF @ 25V 11880pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 330nC @ 10V 330nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11880pF @ 25V 11880pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 330nC @ 10V 330nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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±20V 3.8W(Ta),125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1mΩ@160A,10V N-Channel 40V 46A DIRECTFET L8

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IRF7739L2TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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AUIRF7739L2TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

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