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IRF7606TR  与  IRF7606TRPBF  区别

型号 IRF7606TR IRF7606TRPBF
唯样编号 A-IRF7606TR A-IRF7606TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 Single P-Channel 30 V 1.8 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 90mΩ@2.4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 8-TSSOP,8-MSOP(0.118"",3.00mm 宽) Micro8™
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.6A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 2.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W(Ta)
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1V @ 250uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 3.6A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7606TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 8-TSSOP,8-MSOP(0.118"",3.00mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

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IRF7606TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.4A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro8™

暂无价格 0 对比

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