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IRF7606TRPBF  与  IRF7526D1TRPBF  区别

型号 IRF7606TRPBF IRF7526D1TRPBF
唯样编号 A-IRF7606TRPBF A-IRF7526D1TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.8 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-8 MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@2.4A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 180pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 Micro8™ 8-TSSOP,8-MSOP(0.118"",3.00mm 宽)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 200 毫欧 @ 1.2A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V -
FET功能 - 肖特基二极管(隔离式)
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7606TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.4A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro8™

暂无价格 0 当前型号
IRF7526D1TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 8-TSSOP,8-MSOP(0.118"",3.00mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF7606TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 8-TSSOP,8-MSOP(0.118"",3.00mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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