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IRF7530TRPBF  与  IRF7530  区别

型号 IRF7530TRPBF IRF7530
唯样编号 A-IRF7530TRPBF A-IRF7530
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 20 V 1.3 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Qgd (typ) - 3.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@5.4A,4.5V 45mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 1.3W
漏源极电压Vds 20V 20V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 1.3W -
栅极电压Vgs - 12V
RthJA max - 100.0K/W
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 Micro8™ Micro8 (MO-187)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 5.4A 4.3A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1310pF @ 15V -
QG - 18.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1310pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.23
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7530TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 30mΩ@5.4A,4.5V 1.3W N-Channel 20V 5.4A Micro8™

暂无价格 0 当前型号
IRF7607TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 30mΩ@6.5A,4.5V N-Channel 20V 6.5A Micro8™

暂无价格 0 对比
IRF7601TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 35mΩ@3.8A,4.5V N-Channel 20V 5.7A Micro8™

暂无价格 0 对比
ZXMD63N02XTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

130mΩ@1.7A,4.5V 1.04W -55°C~150°C(TJ) MSOP N-Channel 20V 2.5A

暂无价格 0 对比
IRF7530 Infineon  数据手册 功率MOSFET

20V Micro8 (MO-187) 2N-Channel 12V 4.3A 45mΩ

暂无价格 0 对比

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