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IRF7509TRPBF  与  ZXMD63C03XTA  区别

型号 IRF7509TRPBF ZXMD63C03XTA
唯样编号 A-IRF7509TRPBF A3-ZXMD63C03XTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 30 V 0.175/0.4 Ohm 12/11 nC 1.25 W Generation V Mosfet MICRO-8 N & P-Channel 30V 0.135 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET-MSOP-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 110mΩ@1.7A,10V 135mΩ@1.7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 1.04W
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 Micro8™ MSOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A,2A 2.3A,2A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA(最小)
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 25V 290pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V 8nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7509TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 110mΩ@1.7A,10V 1.25W N+P-Channel 30V 2.7A,2A Micro8™

暂无价格 0 当前型号
ZXMD63C03XTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

135mΩ@1.7A,10V 1.04W -55°C~150°C(TJ) MSOP N+P-Channel 30V 2.3A,2A

暂无价格 0 对比
ZXMD63C03XTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

135mΩ@1.7A,10V 1.04W -55°C~150°C(TJ) MSOP N+P-Channel 30V 2.3A,2A

暂无价格 0 对比

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