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IRF7507TRPBF  与  IRF7507  区别

型号 IRF7507TRPBF IRF7507
唯样编号 A-IRF7507TRPBF A-IRF7507
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 20V 1.25 W 5.3/5.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount-MICRO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Qgd (typ) - 2.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 140mΩ@1.7A,4.5V 200mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 1.25W
漏源极电压Vds 20V 20V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 1.25W -
栅极电压Vgs - 12V
RthJA max - 100.0K/W
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 Micro8™ Micro8 (MO-187)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2.4A,1.7A 1.9A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 15V -
QG - 5.3nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.15
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7507TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 140mΩ@1.7A,4.5V 1.25W N+P-Channel 20V 2.4A,1.7A Micro8™

暂无价格 0 当前型号
IRF7507 Infineon  数据手册 功率MOSFET

20V Micro8 (MO-187) N+P-Channel 12V 1.9A 200mΩ

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