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IRF7503TRPBF  与  ZXMD63N03XTA  区别

型号 IRF7503TRPBF ZXMD63N03XTA
唯样编号 A-IRF7503TRPBF A36-ZXMD63N03XTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Double HexFet 30 V 1.25 W 12 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-8 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 135mΩ@1.7A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 1.04W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 135mΩ@1.7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 25V
FET类型 N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 8nC @ 10V
封装/外壳 Micro8™ 8-MSOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.4A 2.3A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 686
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.551
50+ :  ¥1.188
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7503TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 135mΩ@1.7A,10V 1.25W N-Channel 30V 2.4A Micro8™

暂无价格 0 当前型号
ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 1.04W 8-MSOP -55℃~150℃(TJ) 30V 2.3A

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
50: ¥1.188
686 对比
ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 1.04W 8-MSOP -55℃~150℃(TJ) 30V 2.3A

暂无价格 0 对比
IRF7501TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 135mΩ@1.7A,4.5V 1.25W N-Channel 20V 2.4A Micro8™

暂无价格 0 对比

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