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IRF7503TRPBF  与  IRF7501TRPBF  区别

型号 IRF7503TRPBF IRF7501TRPBF
唯样编号 A-IRF7503TRPBF A-IRF7501TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Double HexFet 30 V 1.25 W 12 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-8 Dual N-Channel 20 V 1.25 W 5.3 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - MICRO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 135mΩ@1.7A,10V 135mΩ@1.7A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 1.25W
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro8™ Micro8™
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.4A 2.4A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 25V 260pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V 8nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 25V 260pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V 8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7503TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 135mΩ@1.7A,10V 1.25W N-Channel 30V 2.4A Micro8™

暂无价格 0 当前型号
ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 1.04W 8-MSOP -55℃~150℃(TJ) 30V 2.3A

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
50: ¥1.188
686 对比
ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 1.04W 8-MSOP -55℃~150℃(TJ) 30V 2.3A

暂无价格 0 对比
IRF7501TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 135mΩ@1.7A,4.5V 1.25W N-Channel 20V 2.4A Micro8™

暂无价格 0 对比

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