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IRF7495TRPBF  与  RS6P100BHTB1  区别

型号 IRF7495TRPBF RS6P100BHTB1
唯样编号 A-IRF7495TRPBF A33-RS6P100BHTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@4.4A,10V 5.9mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 7.3A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1530pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1530pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,100
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
6+ :  ¥25.403
10+ :  ¥15.0636
30+ :  ¥11.2881
50+ :  ¥10.5311
100+ :  ¥9.9562
300+ :  ¥9.5824
500+ :  ¥9.5058
1,000+ :  ¥9.4483
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7495TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4.4A,10V N-Channel 100V 7.3A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥25.403 

阶梯数 价格
6: ¥25.403
10: ¥15.0636
30: ¥11.2881
50: ¥10.5311
100: ¥9.9562
300: ¥9.5824
500: ¥9.5058
1,000: ¥9.4483
2,100 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

暂无价格 100 对比

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