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IRF7493TRPBF  与  FDS86140  区别

型号 IRF7493TRPBF FDS86140
唯样编号 A-IRF7493TRPBF A-FDS86140
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 15 mOhm 53 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@5.6A,10V 9.8m Ohms@11.2A,10V
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.3A 11.2A
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 25V 2580pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 15mΩ@5.6A,10V N-Channel 80V 9.3A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.2W(Ta) 16mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 100V 8.3A

¥3.047 

阶梯数 价格
20: ¥3.047
100: ¥2.354
1,250: ¥2.035
1,623 对比
AO4448 AOS 功率MOSFET

10A(Ta) N-Channel ±25V 16 mΩ @ 10A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 80V

暂无价格 0 对比
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 100V 8.9A(Ta)

暂无价格 0 对比
FDS5670 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 10A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS86140 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 9.8m Ohms@11.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 11.2A 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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