首页 > 商品目录 > > > > IRF7493TRPBF代替型号比较

IRF7493TRPBF  与  DMT10H014LSS-13  区别

型号 IRF7493TRPBF DMT10H014LSS-13
唯样编号 A-IRF7493TRPBF A-DMT10H014LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 15 mOhm 53 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@5.6A,10V -
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Tc) 1.2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 15mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1871 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.3 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 9.3A 8.9A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.64
1,250: ¥2.288
2,500: ¥2.167
2,933 对比
AO4448 AOS 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
FDS5670 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS86140 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售