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IRF7480MTRPBF  与  IRF7483MTRPBF  区别

型号 IRF7480MTRPBF IRF7483MTRPBF
唯样编号 A-IRF7480MTRPBF A-IRF7483MTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF7480M Series 40 V 217 A 1.20 mOhm N-Ch Power MOSFET - DirectFET® ISOMETRIC IRF7483M Series 40 V 135 A 2.3 mOhm N-Channel Power MOSFET -DirectFET® ISOMETRIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2mΩ@132A,10V 2.3mΩ@81A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 96W(Tc) 74W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 - DirectFET™ MF
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 217A 135A
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 150µA 3.9V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6680pF @ 25V 3913pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 185nC @ 10V 81nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 150µA 3.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6680pF @ 25V 3913pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 185nC @ 10V 81nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7480MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.2mΩ@132A,10V N-Channel 40V 217A

暂无价格 0 当前型号
IRF7483MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 74W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 2.3mΩ@81A,10V N-Channel 40V 135A DirectFET™ MF

暂无价格 0 对比

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