IRF7476TRPBF 与 SI4866BDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7476TRPBF | SI4866BDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7476TRPBF | A3t-SI4866BDY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 12 V 0.0053 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta),4.45W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 12V | 12V |
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO8 | 8-SOIC |
| 连续漏极电流Id | 15A(Ta) | 21.5A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 6V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±8V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.8V,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.9V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2550pF @ 6V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 8mΩ@15A,4.5V | 5.3 mOhms @ 12A,4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7476TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 12V 15A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 8mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SI4866BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21.5A(Tc) N-Channel 5.3 mOhms @ 12A,4.5V 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 12V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
