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IRF7469TRPBF  与  DMT6016LSS-13  区别

型号 IRF7469TRPBF DMT6016LSS-13
唯样编号 A-IRF7469TRPBF A3-DMT6016LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 2.5 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@9A,10V 18mΩ
上升时间 - 5.2ns
漏源极电压Vds 40V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.1W
Qg-栅极电荷 - 17nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
典型关闭延迟时间 - 13ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-SO SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9A 9.2A
系列 HEXFET® DMT60
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V 864pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V 17nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 3.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7469TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 17mΩ@9A,10V N-Channel 40V 9A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.584
673 对比
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
IRF7469PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

17mΩ@9A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 9A 8-SO

暂无价格 0 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

暂无价格 160 对比

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