IRF7455TRPBF 与 SI4172DY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7455TRPBF | SI4172DY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7455TRPBF | A3t-SI4172DY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 0.02 Ohm 56 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.5mΩ@15A,10V | 12 mOhms @ 11A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta),4.5W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 15A | 15A(Tc) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3480pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 56nC @ 5V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.8V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3480pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 56nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7455TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 15A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI4172DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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