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IRF7451TRPBF  与  RS6R035BHTB1  区别

型号 IRF7451TRPBF RS6R035BHTB1
唯样编号 A-IRF7451TRPBF A-RS6R035BHTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 150 V 2.5 W 28 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@2.2A,10V 41mΩ@35A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 73W
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 3.6A 35A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥13.5821
100+ :  ¥6.7911
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7451TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.2A,10V N-Channel 150V 3.6A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7451 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 3.6A(Ta) ±30V 2.5W(Ta) 90mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A

¥12.1984 

阶梯数 价格
20: ¥12.1984
50: ¥7.6564
100: ¥7.091
500: ¥6.7173
1,000: ¥6.6407
2,000: ¥6.5832
2,480 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

暂无价格 100 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥14.421 

阶梯数 价格
1: ¥14.421
25: ¥13.3529
100: ¥12.3639
100 对比
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A

¥13.5821 

阶梯数 价格
1: ¥13.5821
100: ¥6.7911
100 对比

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