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IRF7425TRPBF  与  SI4477DY-T1-GE3  区别

型号 IRF7425TRPBF SI4477DY-T1-GE3
唯样编号 A-IRF7425TRPBF A-SI4477DY-T1-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 20 V 2.5 W 130 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 Single P-Channel 20 V 0.0062 O 190 nC Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.2mΩ@15A,4.5V 6.2 mOhms @ 18A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3W(Ta),6.6W(Tc)
Vgs(th) - 1.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±12V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 15A 26.6A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7980pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V -
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7980pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 45
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7425TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.2mΩ@15A,4.5V P-Channel 20V 15A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

暂无价格 0 对比
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

暂无价格 0 对比
SI4477DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

26.6A(Tc) P-Channel 6.2 mOhms @ 18A,4.5V 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V

暂无价格 45 对比
SI4477DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

26.6A(Tc) P-Channel 6.2 mOhms @ 18A,4.5V 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比

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