IRF7425TRPBF 与 DMG4413LSS-13 区别
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规格信息
型号	IRF7425TRPBF	DMG4413LSS-13
唯样编号	A-IRF7425TRPBF	A-DMG4413LSS-13
制造商	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	通用MOSFET
描述	Single P-Channel 20 V 2.5 W 130 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表	IRF7425TRPBF.pdf	DMG4413LSS-13.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	1.7W
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.2mΩ@15A,4.5V	7.5mΩ@13A,10V
漏源极电压Vds	20V	30V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)	-
栅极电压Vgs	±12V	±20V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V	-
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	8-SO	SOP
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	15A	12A
系列	HEXFET®	DMG
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA	2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	7980pF @ 15V	4965pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	130nC @ 4.5V	46nC @ 5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7980pF @ 15V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	130nC @ 4.5V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRF7425TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.2mΩ@15A,4.5V P-Channel 20V 15A 8-SO	暂无价格	0	当前型号
DMG4413LSS-13	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A	暂无价格	0	对比
DMG4413LSS-13	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A	暂无价格	0	对比
SI4477DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	26.6A(Tc) P-Channel 6.2 mOhms @ 18A,4.5V 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V	暂无价格	45	对比
SI4477DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	26.6A(Tc) P-Channel 6.2 mOhms @ 18A,4.5V 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V	暂无价格	0	对比