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IRF7424TRPBF  与  DMG4407SSS-13  区别

型号 IRF7424TRPBF DMG4407SSS-13
唯样编号 A-IRF7424TRPBF A36-DMG4407SSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 22 mOhm 110 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@11A,10V 11mΩ@12A,20V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.45W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -50°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 9.9A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4030pF @ 25V 2246pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 20.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4030pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,575
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.002
100+ :  ¥1.54
1,250+ :  ¥1.342
2,500+ :  ¥1.265
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7424TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.5mΩ@11A,10V P-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
100: ¥1.309
1,250: ¥1.133
2,500: ¥1.067
5,355 对比
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A

¥2.002 

阶梯数 价格
30: ¥2.002
100: ¥1.54
1,250: ¥1.342
2,500: ¥1.265
2,575 对比
AO4407 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 25V -12A 3.1W 14mΩ@10V

暂无价格 0 对比
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel

暂无价格 0 对比
AO4407 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 25V -12A 3.1W 14mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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