IRF7413TRPBF 与 VOM452T 区别
| 型号 | IRF7413TRPBF | VOM452T |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7413TRPBF | A36-VOM452T |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 晶体管输出光耦 |
| 描述 | N-Channel 30 V 2.5 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | VOM452T Series 3750 V 15 % CTR High Speed Optocoupler Surface Mount - SOP-5 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11mΩ@7.3A,10V | - |
| 电流传输比(最大值) | - | 50% @ 16mA |
| 接通/关断时间(典型值) | - | 200ns,500ns |
| 电流-输出/通道 | - | 8mA |
| 电压-输出(最大值) | - | 25V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 封装/外壳 | 8-SO | 6-SOIC(0.173"",4.40mm 宽),5 引线 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~100°C |
| 连续漏极电流Id | 13A | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 25V | - |
| 电流传输比(最小值) | - | 20% @ 16mA |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | - |
| 输入类型 | - | DC |
| 电压-隔离 | - | 3750Vrms |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 输出类型 | - | 晶体管 |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 79nC @ 10V | - |
| 通道数 | - | 1 |
| 电压-正向(Vf)(典型值) | - | 1.4V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 79nC @ 10V | - |
| 电流-DC正向(If)(最大值) | - | 25mA |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7413TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11mΩ@7.3A,10V N-Channel 30V 13A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 19.3A 8.2mΩ |
暂无价格 | 45 | 对比 |
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VOM452T | Vishay | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 1 | 对比 | |
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|
SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 19.3A 8.2mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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VOM452T | Vishay | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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