IRF7410PBF 与 SI4477DY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7410PBF | SI4477DY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7410PBF | A-SI4477DY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 12 V 2.5 W 91 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Single P-Channel 20 V 0.0062 O 190 nC Surface Mount Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7mΩ@16A,4.5V | 6.2 mOhms @ 18A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 3W(Ta),6.6W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 1.5V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 16A | 26.6A(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±12V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 900mV @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 8676pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 91nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 45 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7mΩ@16A,4.5V ±8V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 20V 16A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI4477DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
26.6A(Tc) P-Channel 6.2 mOhms @ 18A,4.5V 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 45 | 对比 |
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SI4477DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
26.6A(Tc) P-Channel 6.2 mOhms @ 18A,4.5V 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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