IRF7403TRPBF 与 SI4134DY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7403TRPBF | SI4134DY-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7403TRPBF | A36-SI4134DY-T1-GE3-1 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta),5W(Tc) | ||
| 宽度 | - | 3.9 mm | ||
| 零件号别名 | - | SI4134DY-GE3 | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-SO | SOIC-8 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 8.5A | 14A | ||
| 系列 | HEXFET® | SI | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 25V | 846pF @ 15V | ||
| 长度 | - | 4.9 mm | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 57nC @ 10V | 23nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 25V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 22mΩ@4A,10V | 14mΩ | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 57nC @ 10V | - | ||
| 高度 | - | 1.75 mm | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 1,305 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7403TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4A,10V N-Channel 30V 8.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta) |
￥1.488
|
802 | 对比 | ||||||
|
FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
FDS8884 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||
|
SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 14A 14mΩ |
￥1.1466
|
1,305 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
