IRF7389TRPBF 与 SI4532CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7389TRPBF | SI4532CDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7389TRPBF | A3t-SI4532CDY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N/P-Channel 30/30 V 2.5 W 22/23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount-SOIC-8 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29mΩ@5.8A,10V | 47 mOhms @ 3.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | 2.78W |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 7.3A,5.3A | 6A,4.3A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 650pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 650pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IRF7389TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2.5W N+P-Channel 30V 7.3A,5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.233
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203 | 对比 | ||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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