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IRF7351TRPBF  与  DMN6040SSD-13  区别

型号 IRF7351TRPBF DMN6040SSD-13
唯样编号 A-IRF7351TRPBF A-DMN6040SSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 60 V 17.8 mOhm 36 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.8mΩ@8A,10V 40mΩ
正向跨导-最小值 - 4.5 S
上升时间 - 8.1ns
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
正向跨导 - 最小值 - 4.5S
封装/外壳 8-SO SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8A 5A
配置 - Dual
下降时间 - 4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1330pF @ 30V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.7W
典型关闭延迟时间 - 20.1ns
FET类型 N-Channel 2N-Channel
系列 HEXFET® DMN6040
通道数量 - 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1330pF @ 30V 1287pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V 22.4nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 6.6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7351TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 17.8mΩ@8A,10V 2W N-Channel 60V 8A 8-SO ±20V

暂无价格 0 当前型号
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
100: ¥0.9493
1,250: ¥0.8041
2,500: ¥0.682
47,945 对比
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel

暂无价格 0 对比
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel

暂无价格 0 对比

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