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IRF7343TRPBF  与  DMC6040SSD-13  区别

型号 IRF7343TRPBF DMC6040SSD-13
唯样编号 A-IRF7343TRPBF A36-DMC6040SSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.7A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1130pF @ 15V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 20.8nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 4.7A,3.4A 5.1A,3.1A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,042
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.1
100+ :  ¥0.8519
1,250+ :  ¥0.7216
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7343TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@4.7A,10V 2W N+P-Channel 55V 4.7A,3.4A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
SH8M31GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) N+P-Channel 3V@1mA 2W(Ta) 8-SOIC 150℃(TJ) 60V

¥11.4702 

阶梯数 价格
20: ¥11.4702
50: ¥6.9377
100: ¥6.3723
300: ¥5.989
500: ¥5.9124
1,000: ¥5.8645
2,000: ¥5.8357
2,500 对比
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 5.1A,3.1A

¥0.8118 

阶梯数 价格
70: ¥0.8118
2,128 对比
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 5.1A,3.1A

¥1.1 

阶梯数 价格
50: ¥1.1
100: ¥0.8519
1,250: ¥0.7216
2,042 对比
SH8M31GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) N+P-Channel 3V@1mA 2W(Ta) 8-SOIC 150℃(TJ) 60V

¥11.4702 

阶梯数 价格
20: ¥11.4702
50: ¥6.9377
100: ¥6.3723
300: ¥5.989
500: ¥5.9124
700 对比
AO4612 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V 20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C

¥2.926 

阶梯数 价格
20: ¥2.926
100: ¥2.332
238 对比

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