IRF7343PBF 与 SI4559ADY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7343PBF | SI4559ADY-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7343PBF | A-Si4559ADY-T1-GE3 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | Double HexFet -55/55 V 2 W 36/38 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@4.7A,10V | 58 mOhms @ 4.3A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 3.1W,3.4W | ||
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA | ||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 4.7A,3.4A | 5.3A,3.9A | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 740pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 740pF @ 25V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7343PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@4.7A,10V 2W N+P-Channel 55V 4.7A,3.4A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.3A,3.9A N+P-Channel 58 mOhms @ 4.3A,10V 3.1W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
￥6.2197
|
0 | 对比 | ||||
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.3A,3.9A N+P-Channel 58 mOhms @ 4.3A,10V 3.1W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
