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IRF7342TRPBF  与  ZXMP6A17DN8TA  区别

型号 IRF7342TRPBF ZXMP6A17DN8TA
唯样编号 A-IRF7342TRPBF A36-ZXMP6A17DN8TA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual P-Channel 55 V 0.17 Ohm 38 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8 MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@3.4A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.81W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 125mΩ@2.3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 637pF @ 30V
FET类型 P-Channel 2P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 17.7nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3.4A 2.7A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 690pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 690pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
库存与单价
库存 4,000 490
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.389
50+ :  ¥3.52
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V 2W P-Channel 55V 3.4A 8-SO

暂无价格 4,000 当前型号
ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel 1.81W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 2.7A

¥4.389 

阶梯数 价格
20: ¥4.389
50: ¥3.52
490 对比
ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel 1.81W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 2.7A

暂无价格 0 对比
IRF7342PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V 2W P-Channel 55V 3.4A 8-SO

暂无价格 0 对比

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