IRF7342PBF 与 SI4948BEY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7342PBF | SI4948BEY-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7342PBF | A36-SI4948BEY-T1-GE3-1 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual P-Channel 55 V 2.0 W 26 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Si4948BEY Series Dual P-Channel 60 V 120 mOhms Surface Mount Power Mosfet-SOIC-8 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 2W | 1.4W | ||
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-SO | SOIC-8 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 3.4A | 2.4A | ||
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 690pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 10V | 22nC @ 10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 690pF @ 25V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 105mΩ@3.4A,10V | 120mΩ | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 550 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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IRF7342PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V 2W P-Channel 55V 3.4A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 60V 2.4A 120mΩ |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 60V 2.4A 120mΩ |
￥2.9939
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550 | 对比 | ||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 60V 2.4A 120mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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