IRF7341TRPBF 与 DMN6066SSDQ-13 区别
| 型号 | IRF7341TRPBF | DMN6066SSDQ-13 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7341TRPBF | A36-DMN6066SSDQ-13 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC | MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@4.7A,10V | - | ||
| 漏源极电压Vds | 55V | - | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 封装/外壳 | SOIC | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 4.7A | - | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 740pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 46 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7341TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 55V 4.7A ±20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel |
￥1.43
|
11,184 | 对比 | ||||||||||
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DMN6066SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 |
￥2.277
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46 | 对比 | ||||||||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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