IRF7341PBF 与 IRFP254PBF 区别
| 型号 | IRF7341PBF | IRFP254PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7341PBF | A3t-IRFP254PBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 55 V 2 W 24 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Single N-Channel 250 V 0.14 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@4.7A,10V | 140 mOhms @ 14A,10V |
| 漏源极电压Vds | 55V | 250V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 190W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | TO-247-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 4.7A | 23A(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 740pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7341PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 4.7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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IRFP254PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
23A(Tc) N-Channel 140 mOhms @ 14A,10V 190W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 250V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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XT9M20ANA20M | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
￥3.631
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0 | 对比 | ||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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|
SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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