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IRF7328TRPBF  与  FDS4935BZ  区别

型号 IRF7328TRPBF FDS4935BZ
唯样编号 A-IRF7328TRPBF A3-FDS4935BZ
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 2 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21mΩ@8A,10V 22m Ohms@6.9A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 900mW
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8A 6.9A
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2675pF @ 25V 1360pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V 40nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2675pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 22,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7328TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 21mΩ@8A,10V 2W P-Channel 30V 8A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
FDS4935BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC

暂无价格 22,500 对比
DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 40V 6.9A

¥3.267 

阶梯数 价格
20: ¥3.267
100: ¥2.519
1,250: ¥2.189
2,500: ¥2.09
15,016 对比
FDS4935BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC

¥3.113 

阶梯数 价格
20: ¥3.113
100: ¥2.387
587 对比
FDS4935BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC

¥0.9398 

阶梯数 价格
1: ¥0.9398
1 对比
BSO303P H Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO303PHXUMA1_30V 8.2A 21mΩ 20V 2W 2P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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