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IRF7316TRPBF  与  SH8J62TB1  区别

型号 IRF7316TRPBF SH8J62TB1
唯样编号 A-IRF7316TRPBF A33-SH8J62TB1-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 58mΩ@4.9A,10V 60mΩ
正向跨导-最小值 - 3.5 S
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
正向跨导 - 最小值 - 3.5S
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 8-SO 8-SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.9A 4.5A
系列 HEXFET® SH
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V 800pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V 8nC @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.3628
50+ :  ¥4.6667
100+ :  ¥4.1013
500+ :  ¥3.718
1,000+ :  ¥3.6414
2,000+ :  ¥3.5839
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7316TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 58mΩ@4.9A,10V 2W P-Channel 30V 4.9A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMP3098LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

65mΩ@5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 4.4A

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0384
2,500: ¥0.88
3,597 对比
SH8J62TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) 8-SOP 4.5A 2W 60mΩ 30V

¥6.3628 

阶梯数 价格
30: ¥6.3628
50: ¥4.6667
100: ¥4.1013
500: ¥3.718
1,000: ¥3.6414
2,000: ¥3.5839
2,500 对比
SH8J62TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) 8-SOP 4.5A 2W 60mΩ 30V

¥6.3628 

阶梯数 价格
30: ¥6.3628
50: ¥4.6667
100: ¥4.1013
500: ¥3.718
1,000: ¥3.6414
2,000: ¥3.5839
2,500 对比
SH8J62TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) 8-SOP 4.5A 2W 60mΩ 30V

¥6.3628 

阶梯数 价格
30: ¥6.3628
50: ¥4.6667
100: ¥4.1013
500: ¥3.718
1,000: ¥3.6414
2,000: ¥3.5839
2,382 对比
ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 4.2A

¥4.235 

阶梯数 价格
20: ¥4.235
50: ¥3.388
398 对比

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