IRF7314TRPBF 与 STS4DPF30L 区别
| 型号 | IRF7314TRPBF | STS4DPF30L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7314TRPBF | A-STS4DPF30L |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual P-Channel 20 V 2 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 58mΩ@2.9A,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 5.3A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 780pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29nC @ 4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 780pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7314TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 58mΩ@2.9A,4.5V 2W P-Channel 20V 5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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AO4801A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 12V -5A 2W 48mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4801A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 12V -5A 2W 48mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
￥1.4673
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0 | 对比 | ||||||||||
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SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A 2P-Channel 19.2 mOhms @ 8.3A,10V 3.1W 8-SOIC -50°C~150°C 20V |
￥2.6554
|
15,911 | 对比 |
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