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IRF7314TRPBF  与  DMP2066LSD-13  区别

型号 IRF7314TRPBF DMP2066LSD-13
唯样编号 A-IRF7314TRPBF A-DMP2066LSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 20 V 2 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 Dual P-Channel 20 V 40 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.1mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 58mΩ@2.9A,4.5V 40mΩ
上升时间 - 9.9ns
栅极电压Vgs - 12V
封装/外壳 8-SO SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.3A 5.8A
配置 - Dual
长度 - 5.3mm
下降时间 - 23.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 780pF @ 15V -
高度 - 1.50mm
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
典型关闭延迟时间 - 28ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® DMP2066
通道数量 - 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 780pF @ 15V 820pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 4.5V 10.1nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 4.4ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7314TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 58mΩ@2.9A,4.5V 2W P-Channel 20V 5.3A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4801A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 12V -5A 2W 48mΩ@5A,10V -55°C~150°C

暂无价格 4 对比
STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
DMP2066LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 5.8A 2W 40mΩ 20V 12V P-Channel

暂无价格 0 对比
DMP2066LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 5.8A 2W 40mΩ 20V 12V P-Channel

暂无价格 0 对比

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