IRF7314TRPBF 与 AO4801A 区别
| 型号 | IRF7314TRPBF | AO4801A | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7314TRPBF | A-AO4801A | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual P-Channel 20 V 2 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 58mΩ@2.9A,4.5V | 48mΩ@5A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | -30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 2W | ||
| 栅极电压Vgs | - | 12V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 5.3A | -5A | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 780pF @ 15V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29nC @ 4.5V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 780pF @ 15V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29nC @ 4.5V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7314TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 58mΩ@2.9A,4.5V 2W P-Channel 20V 5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
|
AO4801A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 12V -5A 2W 48mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
|
|
STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO4801A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 12V -5A 2W 48mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
￥1.4673
|
0 | 对比 | ||||||||||
|
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A 2P-Channel 19.2 mOhms @ 8.3A,10V 3.1W 8-SOIC -50°C~150°C 20V |
￥2.6554
|
15,911 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
