首页 > 商品目录 > > > > IRF7313TRPBF代替型号比较

IRF7313TRPBF  与  AO4822A  区别

型号 IRF7313TRPBF AO4822A
唯样编号 A-IRF7313TRPBF A-AO4822A
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 2 W 33 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5.8A,10V 19mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 6.5A 8A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
490+ :  ¥3.2745
1,000+ :  ¥2.5767
1,500+ :  ¥2.0151
3,000+ :  ¥1.5718
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7313TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2W N-Channel 30V 6.5A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.793
750: ¥1.595
1,500: ¥1.507
3,000: ¥1.43
3,124 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V

¥1.0076 

阶梯数 价格
50: ¥1.0076
200: ¥0.7755
1,500: ¥0.6732
2,513 对比
ZXMN3G32DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 5.5A

¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
50: ¥2.376
268 对比
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel

暂无价格 18 对比
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥3.2745 

阶梯数 价格
490: ¥3.2745
1,000: ¥2.5767
1,500: ¥2.0151
3,000: ¥1.5718
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售