IRF7313PBF 与 SI4214DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7313PBF | SI4214DDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7313PBF | A-SI4214DDY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 2 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 |
| 功率耗散Pd | 2W | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 6.5A | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 29mΩ@5.8A,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 650pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7313PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
29mΩ@5.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 6.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 14 | 对比 |
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SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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