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IRF7306TRPBF  与  DMP3085LSD-13  区别

型号 IRF7306TRPBF DMP3085LSD-13
唯样编号 A-IRF7306TRPBF A3-DMP3085LSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 0.16 Ohm 25 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8 MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1.8A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.1W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 70mΩ@5.3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 563pF @ 25V
FET类型 P-Channel 2P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A 3.9A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 25,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7306TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 25,000 对比
AO4803A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8723
1,500: ¥0.759
3,000: ¥0.66
9,960 对比
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥0.9526 

阶梯数 价格
60: ¥0.9526
100: ¥0.6347
315 对比
STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比

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