IRF7306TRPBF 与 DMP3085LSD-13 区别
| 型号 | IRF7306TRPBF | DMP3085LSD-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7306TRPBF | A3-DMP3085LSD-13 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 0.16 Ohm 25 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8 | MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2W | 1.1W |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 70mΩ@5.3A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 563pF @ 25V |
| FET类型 | P-Channel | 2P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 11nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.6A | 3.9A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 440pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 440pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 100mΩ@1.8A,10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 7,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7306TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100mΩ@1.8A,10V 2W P-Channel 30V 3.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
AO4803A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±20V -5A 2W 46mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
￥1.2563
|
17,829 | 对比 | ||||||||||
|
DMP3085LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2P-Channel 1.1W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 3.9A |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
|
STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
￥7.608
|
2,500 | 对比 | ||||||||||
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AO4803A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±20V -5A 2W 46mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
￥0.8237
|
1,036 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO4803A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±20V -5A 2W 46mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 33 | 对比 |
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