IRF7304TRPBF 与 SI9933CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7304TRPBF | SI9933CDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7304TRPBF | A36-SI9933CDY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual P-Channel 20 V 2 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Dual P-Channel 20 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ@2.2A,4.5V | 58mΩ@4.8A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 3.1W |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | P-Channel | 2P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -50°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 4.3A | 4A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 610pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 610pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.2A,4.5V 2W P-Channel 20V 4.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A 2P-Channel 58mΩ@4.8A,4.5V ±12V 3.1W 8-SOIC -50°C~150°C 20V |
暂无价格 | 5 | 对比 |
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