IRF7303TRPBF 与 SI4936CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7303TRPBF | SI4936CDY-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRF7303TRPBF | A36-SI4936CDY-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@2.4A,10V | 40 mOhms @ 5A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 2.3W | ||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.9A | 5.8A | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 520pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 520pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 4,000 | 7,340 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel |
￥1.991
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.0076
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2,263 | 对比 | ||||||||||
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4862 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 4.5A 1.7W 50mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.112
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7,340 | 对比 |
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