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IRF7303TRPBF  与  AO4842  区别

型号 IRF7303TRPBF AO4842
唯样编号 A-IRF7303TRPBF A36-AO4842
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@2.4A,10V 21mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 30mΩ
Qgd(nC) - 1.7
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 4.5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 4.9A 7.7A
Ciss(pF) - 373
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 10.5
Td(off)(ns) - 14.9
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) - 4.5
VGS(th) - 2.6
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
Coss(pF) - 67
Qg*(nC) - 3.5
库存与单价
库存 4,000 2,263
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.0076
200+ :  ¥0.7755
1,500+ :  ¥0.6732
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO

暂无价格 4,000 当前型号
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel

¥1.991 

阶梯数 价格
30: ¥1.991
100: ¥1.529
1,250: ¥1.331
2,500: ¥1.254
2,500 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V

¥1.0076 

阶梯数 价格
50: ¥1.0076
200: ¥0.7755
1,500: ¥0.6732
2,263 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO4862 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 4.5A 1.7W 50mΩ@10V

暂无价格 0 对比
SI4936CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V

¥2.112 

阶梯数 价格
30: ¥2.112
100: ¥1.628
1,250: ¥1.419
2,500: ¥1.342
7,340 对比

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