IRF7241TRPBF 与 ZXMP3A16N8TA 区别
| 型号 | IRF7241TRPBF | ZXMP3A16N8TA | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7241TRPBF | A36-ZXMP3A16N8TA | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Single P-Channel 40 V 2.5 W 53 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 41mΩ@6.2A,10V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 1.9W(Ta) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 40mΩ@4.2A,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1022 pF @ 15 V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 29.6 nC @ 10 V | ||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 6.2A | 5.6A(Ta) | ||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3220pF @ 25V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 80nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3220pF @ 25V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 80nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 154 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRF7241TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 41mΩ@6.2A,10V P-Channel 40V 6.2A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4443 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55°C~150°C |
￥1.914
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4,047 | 对比 | ||||||||||||
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DMP4050SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.56W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 40V 4.4A(Ta) |
￥2.3282
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2,168 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMP3A16N8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.9W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 5.6A(Ta) |
￥3.168
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154 | 对比 | ||||||||||||
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AO4443 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4447ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),4.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.2A 45mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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