首页 > 商品目录 > > > > IRF7241TRPBF代替型号比较

IRF7241TRPBF  与  ZXMP3A16N8TA  区别

型号 IRF7241TRPBF ZXMP3A16N8TA
唯样编号 A-IRF7241TRPBF A36-ZXMP3A16N8TA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 40 V 2.5 W 53 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 41mΩ@6.2A,10V -
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.9W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@4.2A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1022 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 29.6 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 6.2A 5.6A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3220pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3220pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 322
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.663
50+ :  ¥2.827
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7241TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 41mΩ@6.2A,10V P-Channel 40V 6.2A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55℃~150℃

¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.43
750: ¥1.188
1,500: ¥1.0791
2,015 对比
DMP4050SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.56W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 40V 4.4A(Ta)

¥3.113 

阶梯数 价格
20: ¥3.113
100: ¥2.398
1,250: ¥2.079
1,467 对比
ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.9W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 5.6A(Ta)

¥3.663 

阶梯数 价格
20: ¥3.663
50: ¥2.827
322 对比
AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.9W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 5.6A(Ta)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售