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IRF7241TRPBF  与  RS1G201ATTB1  区别

型号 IRF7241TRPBF RS1G201ATTB1
唯样编号 A-IRF7241TRPBF A-RS1G201ATTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 40 V 2.5 W 53 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3W(Ta),40W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 41mΩ@6.2A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6890pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 8-SO 8-HSOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.2A -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.2 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3220pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3220pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Ta),78A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7241TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 41mΩ@6.2A,10V P-Channel 40V 6.2A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55°C~150°C

¥2.145 

阶梯数 价格
30: ¥2.145
100: ¥1.716
750: ¥1.529
1,500: ¥1.441
3,000: ¥1.375
4,652 对比
DMP4050SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.56W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 40V 4.4A(Ta)

¥2.926 

阶梯数 价格
20: ¥2.926
100: ¥2.255
1,250: ¥1.947
2,500: ¥1.87
3,960 对比
ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.9W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 5.6A(Ta)

¥3.168 

阶梯数 价格
20: ¥3.168
50: ¥2.541
259 对比
AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
RS1G201ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP

暂无价格 0 对比

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