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IRF7241TRPBF  与  AO4443  区别

型号 IRF7241TRPBF AO4443
唯样编号 A-IRF7241TRPBF A-AO4443
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 40 V 2.5 W 53 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 72
Rds On(Max)@Id,Vgs 41mΩ@6.2A,10V 42mΩ@-6A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 63mΩ
Qgd(nC) - 4.3
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 10.3
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 6.2A -6A
Ciss(pF) - 940
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3220pF @ 25V -
Trr(ns) - 17
Td(off)(ns) - 39
漏源极电压Vds 40V -40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 11.5
VGS(th) - -2.6
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3220pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
Coss(pF) - 97
Qg*(nC) - 8.4
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7241TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 41mΩ@6.2A,10V P-Channel 40V 6.2A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55℃~150℃

¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.43
750: ¥1.188
1,500: ¥1.0791
2,015 对比
DMP4050SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.56W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 40V 4.4A(Ta)

¥3.113 

阶梯数 价格
20: ¥3.113
100: ¥2.398
1,250: ¥2.079
1,467 对比
ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.9W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 5.6A(Ta)

¥3.663 

阶梯数 价格
20: ¥3.663
50: ¥2.827
322 对比
AO4443 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.9W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 5.6A(Ta)

暂无价格 0 对比

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